Gli obiettivi formativi specifici di questo corso sono legati a tre aspetti: 1) sintesi, 2) processo e 3) caratterizzazione di materiali e nanostrutture, nonché l’elaborazione e analisi dei dati sperimentali.
In particolare:
1) Sintesi
2) Processo
3) Caratterizzazione ed elaborazione dei dati sperimentali
Inoltre, in riferimento ai cosiddetti Descrittori di Dublino, il corso mira a fornire le seguenti conoscenze e competenze trasversali:
Conoscenza e capacità di comprensione:
Capacità di applicare conoscenza:
Autonomia di giudizio:
Abilità comunicative:
Abilità di apprendimento:
Lezioni frontali: 3 CFU per un totale di 21 ore
Attività di laboratorio: 3 CFU per un totale di 45 ore
A.1) Lezioni frontali
Introduzione generale alle tecniche di deposizione da fase vapore e da fase liquida di film sottili e nanostrutture su substrati, comprese le tecniche di sputtering, evaporazione, epitassia da fasci molecolari, deposizione chimica da fase vapore, deposizione di strati atomici, deposizione da bagno chimico, deposizione idrotermale, e deposizione elettrochimica.
Deposizione di film sottili e nanostrutture su substrati mediante sputtering: principi fisici cinetici e termodinamici, parametri di deposizione, apparati sperimentali.
A.2) Attività di laboratorio
Deposizione di film sottili su substrati mediante la tecnica di sputtering;
Deposizione di nanostrutture da bagno chimico.
B.1) Lezioni teoriche
B.2) Attività di laboratorioIntroduzione generale ai processi e ai parametri fisici basilari coinvolti nell’evoluzione di materiali e nanostrutture sottoposte a processi termici e di impianto/irraggiamento ionico.
Processi termici di film sottili o nanostrutture depositati su substrati;
Impianto/irraggiamento ionico di film sottili o nanostrutture.
C.1) Lezioni teoriche
Microscopia elettronica a scansione: principi di base, interazione elettrone-materia, apparato sperimentale.
Spettrometria di retrodiffusione alla Rutherford (RBS): cinematica delle collisioni, sezione d’urto, perdita di energia, apparato sperimentale.
Interpretazione fisica e caratterizzazione delle interfacce metallo/liquido e semiconduttore/liquido mediante tecniche elettrochimiche, compresa la misura della resistenza al trasferimento di carica, il potenziale di banda piatta e la concentrazione di drogante, apparato sperimentale.
C.2) Attività di laboratorio
Analisi mediante microscopia elettronica a scansione di film sottili e nanostrutture su substrati; uso di software per l'analisi dei dati e delle immagini. Acquisizione e analisi degli spettri RBS di film sottili o nanostrutture tramite software adeguato (RUMP e/o SimNRA).
Misura delle proprietà delle interfacce metallo/liquido e semiconduttore/liquido mediante diverse tecniche elettrochimiche, compresa la spettroscopia di impedenza elettrochimica e l’analisi di Mott-Schottky.
Elaborazione e analisi dei dati sperimentali.
1. P. M. Martin, Handbook of Deposition Technologies for Films and Coatings-Science, Applications, Technology, Elsevier 2005
2. K. Wasa, M. Kitabatake, H. Adachi, Thin Film Materials Technology-Sputtering of Compound Materials, William Andrew Publishing 2004
3. K. B. Oldham and J. C. Myland, “Fundamentals of Electrochemical Science” Academic Press
4. L. Feldman, J. Mayer “Fundamentals of Surface and Thin Film Analysis” North-Holland Ed.
5. K.-N. Tu, J. W. Mayer, L. C. Feldman, “Electronic Thin Film Science” Macmillan Publishing Company
6. E. Rimini, “Ion Implantation: Basics to Device Fabrication”, Springer
7. L. Reimer, Scanning Electron Microscopy- Physics of Image Formation and Microanalysis, Springer 1998
8. J. I. Goldstein et al., Scanning Electron Microscopy and X-ray Microanalysis, Springer 2018
| Argomenti | Riferimenti testi | |
|---|---|---|
| 1 | Processi di crescita di film sottili: deposizioni fisiche da fase vapore; meccanismi e parametri basilari | 1,2 |
| 2 | Tecnica di deposizione di film sottili tramite fenomeno di sputtering: concetti basilari dell’interazione ione-materia, caratteristiche del fenomeno di sputtering, apparati di deposizione, DC-sputtering, RF-sputtering, magnetron-sputtering | 1,2 |
| 3 | Processi cinetici di atomi depositati su superfici e caratteristiche generali morfologiche e strutturali di film sottili depositati su superfici tramite tecnica di sputtering | 1,2 |
| 4 | Processi di sintesi di nanostrutture da fase liquida (deposizione da bagno chimico, deposizione idrotermale, deposizione elettrochimica) | 3 |
| 5 | Deposizioni in laboratorio di film sottili su substrati utilizzando il fenomeno di sputtering | 1,2 |
| 6 | Sintesi in laboratorio di nanostrutture da fase liquida | 3 |
| 7 | Processo di modifica di materiali indotto da fasci ionici: teoria e laboratorio | 4,5,6 |
| 8 | Spettrometria di retrodiffusione alla Rutherford: teoria e laboratorio | 4,5,6 |
| 9 | Microscopia elettronica a scansione: principi fisici basilari, interazione elettrone-materia, apparato sperimentale, metodologie di analisi e acquisizione immagini, ottimizzazione dei parametri di acquisizione e della risoluzione, artefatti | 7,8 |
| 10 | Analisi in laboratorio delle caratteristiche morfologiche di film sottili e nanostrutture cresciute su substrati tramite microscopia elettronica a scansione, analisi immagini e analisi dati | 7,8 |
| 11 | Fenomeni alle interfacce metallo/liquido e semiconduttore/liquido e loro caratterizzazione tramite tecniche elettrochimiche | 3 |
| 12 | Analisi in laboratorio delle caratteristiche elettrochimiche di film sottili e nanostrutture immerse in liquido | 3 |
| 13 | Descrizione delle caratteristiche basilari del software “Origin” per l’analisi dei dati, con riferimento ai dati acquisiti da misure elettrochimiche | 3 |
L’esame finale consiste in una presentazione, preparata e discussa dallo studente, riguardante uno degli esperimenti del corso (a scelta dello studente). Nello specifico, lo studente dovrà presentare il metodo sperimentale e i risultati ottenuti riguardo la sintesi, il processo, e la caratterizzazione di una nanostruttura. Dalla discussione della presentazione saranno poi possibili domande su tutti gli argomenti oggetto del programma.
Alla formulazione del voto finale concorreranno in egual misura la padronanza mostrata nelle argomentazioni qualitative e quantitative, e l’analisi critica dei risultati sperimentali presentati.
La verifica dell’apprendimento potrà essere effettuata anche per via telematica qualora le condizioni lo dovessero richiedere.
Principi fisici dell’interazione ione-materia
Principi fisici e caratteristiche tecniche alla base dei processi di deposizione fisica da fase vapore di film sottili con particolare riferimento al processo di sputtering
Principi e caratteristiche tecniche alla base dei processi di deposizione da fase liquida di nanostrutture
Principi fisici dell’interazione elettrone-materia
Principi fisici e caratteristiche tecniche alla base del microscopio elettronico a scansione
Principi fisici e caratteristiche tecniche alla base della spettrometria di retrodiffusione alla Rutherford
Principi e caratteristiche tecniche alla base delle misure elettrochimiche delle proprietà di film sottili e nanostrutture a base di metalli e/o semiconduttori in liquido