L’obiettivo formativo fondamentale consiste nella acquisizione di conoscenze approfondite relative alle proprietà, alla preparazione e stabilità dei materiali nanostrutturati, alla termodinamica delle nanostrutture e ai meccanismi di trasporto in nanostrutture.
Alla fine del corso lo studente sarà in grado di comprendere ed inquadrare in un contesto generale gli sviluppi più recenti relativi alle nanotecnologie, alle proprietà termodinamiche delle nanostrutture, al trasporto in materiali nanostrutturati, ed alla loro applicazione anche in campo interdisciplinare. Lo studente avrà acquisito padronanza del metodo scientifico e sarà in grado di applicarlo anche a situazioni complesse utilizzando con padronanza la stima degli ordini di grandezza e le approssimazioni necessarie per la descrizione del fenomeno. Lo studente acquisirà capacità di approfondimento autonomo e sarà in grado di reperire la letteratura specializzata per gli approfondimenti prescelti. Lo studente dovrà dimostrare di avere acquisito capacità di presentare ad un pubblico di specialisti un argomento di ricerca attuale.
Inoltre, in riferimento ai cosiddetti Descrittori di Dublino, questo corso contribuisce ad acquisire le seguenti competenze trasversali:
Conoscenza e capacità di comprensione:
Capacità di applicare conoscenza:
Autonomia di giudizio:
Abilità comunicative:
Capacità di apprendimento:
Lezioni frontali (modalita’ di lezione da remoto tramite Microsoft Teams saranno utilizzate in caso di restrizioni delle attivita’ frontali, come da direttive d’Ateneo).
Durante ogni lezione verrà dato spazio agli studenti per domande e commenti. L’interazione docente-studente durante le lezioni costituisce uno degli aspetti didattici-educativi fondamentali del corso.
Qualora l'insegnamento venisse impartito in modalità mista o a distanza potranno essere introdotte le necessarie variazioni rispetto a quanto dichiarato in precedenza, al fine di rispettare il programma previsto e riportato nel syllabus.
Sono indispensabili estese ed approfondite conoscenze di: Termodinamica, Elettromagnetismo, Meccanica quantistica, Struttura della materia, Fisica dello stato solido, Fisica dei semiconduttori.
Obbligatoria
PARTE A: NANOTECNOLOGIE, NANOSTRUTTURE E TRASPORTO ELETTRONICO IN NANOSTRUTTURE
1) Introduzione: Fisica mescoscopica e nanotecnologie
Trends in nanoelettronica-Lunghezze caratteristiche in sistemi mesoscopici-Coerenza quantistica- Quantum wells, quantum wires, quantum dots-Densità degli stati e dimensionalità-Eterostrutture a semiconduttore.
2) Richiamo di alcuni concetti di fisica dello stato solido
Dualismo onda-particella e principio di Heisenberg-Equazione di Schrödinger e applicazioni elementari-Distribuzione di Fermi/Dirac-Modello ad elettroni liberi per un solido-Funzione densità degli stati-Teorema di Bloch-Elettroni in un solido cristallino-Dinamica degli elettroni in bande energetiche (equazione del moto, massa efficace, lacune)-Vibrazioni reticolari e fononi
3) Richiamo di alcuni concetti di fisica dei semiconduttori.
Bande di energia nei semiconduttori-Semiconduttori intrinseci ed estrinseci-Concentrazioni di elettroni e lacune nei semiconduttori-Proprietà di trasporto elementari nei semiconduttori (Trasporto in un campo elettrico, mobilità; conduzione per diffusione; equazione di continuità, tempo di vita dei portatori e lunghezza di diffusione)-Semiconduttori degeneri.
4) Fisica dei semiconduttori a bassa dimensionalità
Proprietà fondamentali di nanostrutture a semiconduttore bidimensionali-Quantum well-Quantum wires-Quantum dots- Diagramma a bande per quantum wells.
5) Nanostrutture a semiconduttore ed eterostrutture
Strutture MOSFET-Eterogiunzioni-Quantum well multiple-Eterostrutture (il concetto di eterostruttura ed il modello di Kronig-Penney).
6) Trasporto da campo elettrico nelle nanostrutture
Trasporto parallelo (meccanismi di scattering elettronico e alcune osservazioni sperimentali)-Trasporto perpendicolare (Tunneling risonante, effetti di campo elettrico nelle eterostrutture)-Trasporto quantistico nelle nanostrutture (Conduttanza quantizzata; formula di Landauer; formula di Landauer-Büttiker; Coulomb blockade).
7) Trasporto da campo magnetico nelle nanostrutture ed effetto Hall quantistico
Effetto di un campo magnetico su un cristallo-Sistemi a bassa dimensionalità in un campo magnetico; densità degli stati di un sistema bidimensionale in un campo magnetico-L’effetto Aharonov-Bohm-l’effetto Shubnikov-de Haas-L’effetto Hall quantistico intero (fatti sperimentali e teoria elementare; stati di confine, stati estesi e stati localizzati)-L’effetto Hall quantistico frazionario
8) Dispositivi elettronici basati su nanostrutture
MODFET-Transistor bipolare ad eterogiunzione-Transistor a tunnelling risonante- Diodo Esaki-Transistor a singolo elettrone-Transistor a base grafene.
PARTE B: TERMODINAMICA DELLE NANOSTRUTTURE E CONNESSE CARATTERISTICHE STRUTTURALI
1) Termodinamica delle nanostrutture
Effetti delle dimensioni e del confinamento-Atomi di superficie e rapporto superficie/volume-Energia e stress superficiali-Effetti sul parametro reticolare-Energia superficiale e teorema di Wulff-Costruzione di Wulff e forma di equilibrio di nanocristalli-Forma di equilibrio di nanocristalli supportati su un substrato (teorema di Kaichew-Wulff)-Costruzione di Wulff inversa-Transizione solido-liquido in nanostrutture (energia di coesione e temperatura di fusione dipendenti dalla dimensione, modelli teorici e paragone con i dati sperimentali).
2) Nanostrutture su substrati e in matrici
Controllo della dimensione e della densità di nanostrutture su superfici e in matrici-Termodinamica e cinetica dei processi di nucleazione e crescita (concetti basilari e dati sperimentali)-Ripening e coalescenza (equazioni basilari e confronto con i dati sperimentali)-Tipici valori delle energie di attivazione e dei coefficienti di diffusione.
3) Dewetting di film sottili su substrati
Stabilità e instabilità termodinamica di film sottili su substrati-Wetting, dewetting, angolo di contatto, equazione di Young-Processo di dewetting di un film sottile su un subtrato: formazione di nanoparticelle-Dewetting allo stato liquido e allo stato solido-Instabilità di Rayleigh-Dipendenza della dimensione delle nanoparticelle e spaziatura tra le nanoparticelle dallo spessore del film a da altri parametri di processo-Dewetting di film sottili su substrati indotto da processi termici, processi di irraggiamento laser, irraggiamento ionico, irraggiamento elettronico-Dewetting su substrati pre-patternati.
4) Crescita Vapor-Liquid-Solid (VLS) di nanowires
Il meccanismo VLS-Ruolo dell'energia superficiale-Ruolo delle dimensioni-Ruolo dei diagrammi di fase e dei punti eutettici-Equazioni di crescita-Relazione lunghezza/diametro-Condizioni di temperatura nella crescita VLS-Dati sperimentali e focus sui nanowires semiconduttori (Si, Ge)-Accenno al meccanismo Solid-Liquid-Solid (SLS) di crescita di nanostrutture unidimensionali.
5) Sistemi nanoporosi
Introduzione e concetti generali-Metalli nanoporosi-Oro nanoporoso: proprietà e applicazioni-Fabbricazione di oro nanoporoso tramite processo di dealloying (principi di base, parametri termodinamici e cinetici)-Controllo della composizione e della porosità-Nanostrutture in oro nanoporoso.
6) Metodi particolari di nanostrutturazione e per il cambio di forma delle nanostrutture
Controllo della forma di nanostrutture metalliche in matrici isolanti tramite irraggiamenti ionici ad alta energia (elongazione e ripening inverso)-Instabilità termodinamica di nanorods e cambio di forma spontaneo-Embedding spontaneo di nanoparticelle metalliche in film polimerici-Deposizioni "shadowed" di film su substrati per produrre nanostrutture di forma complessa.
PARTE A
1) “Nanotechnology for Microelectronics and Optoelectronics”, J. M. Martinez-Duart, R. J. Martin-Palma, F.
Agullo-Rueda, Elsevier 2006
2) “Quantum Transport-Atom to transistor”, S. Datta, Cambridge University Press 2005
3) “Transport in Nanostructures”, D. K. Ferry, S. M. Goodnick, J. Bird, Cambridge University Press 2009
4) “The Physics of low-dimensional semiconductors-an introduction”, J. H. Davies, Cambridge University
PARTE B
5) "Nanomaterials and Nanochemistry", C. Bréchignac, P. Houdy, M. Lahmani, Springer 2006
6) "Nanoscience-Nanotechnologies and Nanophysics", C. Dupas, P. Houdy, M. Lahmani, Springer 2004
7) "Introduction to surface and thin film processes", J. A. Venables, Cambridge University Press 2003
8) "Nucleation theory and growth of nanostructures", V. G. Dubrovskii, Springer 2014
9) "Nanoporous gold-from an ancient technology to a high-tech material", A. Wittstock, J. Biener, J. Erlebacher, M. Baumer, RSC Publishing 2012
10) "Polymer films with embedded metal nanoparticles", A. Heilmann, Springer 2003
Il materiale didattico di tutte le lezioni (slides, articoli di letteratura) ed eventuali informazini logistiche sono pubblicate sulla piattaforma Studium, sulla pagina Microsoft Teams del corso e sul sito personale del docente (https://nanostar.jimdofree.com/).
Argomenti | Riferimenti testi | |
1 | Introduzione: Fisica mescoscopica e nanotecnologie Trends in nanoelettronica- Lunghezze caratteristiche in sistemi mesoscopici-Coerenza quantistica-Quantum wells, wires, dots-Densità degli stati e dimensionalità-Eterostrutture a semiconduttore | 1,3 |
2 | Richiamo di alcuni concetti di fisica dello stato solido Dualismo onda-particella e principio di Heisenberg-Equazione di Schrödinger e applicazioni elementari- Distribuzione di Fermi-Dirac-Modello ad elettroni liberi per un solido-Funzione densità degli stati-Teorema di Bloch-Elettroni in un solido cristallino-Dinamica degli elettroni in bande energetiche (equazione del moto, massa efficace, lacune)-Vibrazioni reticolari e fononi | 1,4 |
3 | Richiamo di alcuni concetti di fisica dei semiconduttori Bande di energia nei semiconduttori-Semiconduttori intrinseci ed estrinseci-Concentrazioni di elettroni e lacune nei semiconduttori-Proprietà di trasporto elementari nei semiconduttori (Trasporto in un campo elettrico, mobilità; conduzione per diffusione; equazione di continuità, tempo di vita dei portatori e lunghezza di diffusione); Semiconduttori degeneri | 1,4 |
4 | Proprietà fondamentali di nanostrutture a semiconduttore bidimensionali-Quantum well-Quantum wires-Quantum dots- Diagramma a bande per quantum wells | 1,2,3,4 |
5 | Strutture MOSFET-Eterogiunzioni-Quantum well multiple-Eterostrutture (il concetto di eterostruttura ed il modello di Kronig-Penney) | 1,2,3,4 |
6 | Trasporto parallelo (meccanismi di scattering elettronico, alcune osservazioni sperimentali)-Trasporto perpendicolare (Tunneling risonante, effetti di campo elettrico nelle eterostrutture)-Trasporto quantistico nelle nanostrutture (Conduttanza quantizzata; formula di Landauer; Formula di Landauer-Büttiker; Coulomb blockade) | 1,2,3,4 |
7 | Effetto di un campo magnetico su un cristallo-Sistemi a bassa dimensionalità in un campo magnetico-densità degli stati di un sistema bidimensionale in un campo magnetico-L’effetto Aharonov-Bohm-l’effetto Shubnikov-de Haas-L’effetto Hall quantistico intero (fatti sperimentali e teoria elementare; stati di confine, stati estesi e stati localizzati)-L’effetto Hall quantistico frazionario | 1,2,3,4 |
8 | MODFET-Transistor bipolare ad eterogiunzione-Transistor a tunnelling risonante- Diodo Esaki-Transistor a singolo elettrone-Transistor a grafene | 1,2,3,4 |
9 | Effetti delle dimensioni e del confinamento-Atomi di superficie e rapporto superficie/volume-Energia e stress superficiali-Effetti sul parametro reticolare-Energia superficiale e teorema di Wulff-Costruzione di Wulff e forma di equilibrio di nanocristalli-Forma di equilibrio di nanocristalli supportati su un substrato (teorema di Kaichew-Wulff)-Costruzione di Wulff inversa | 5,6,7,8 |
10 | Transizione solido-liquido in nanostrutture (energia di coesione e temperatura di fusione dipendenti dalla dimensione, modelli teorici e paragone con i dati sperimentali) | 5,6,7,8 |
11 | Controllo della dimensione e della densità di nanostrutture su superfici e in matrici-Termodinamica e cinetica dei processi di nucleazione e crescita (concetti basilari e dati sperimentali)-Ripening e coalescenza (equazioni basilari e confronto con i dati sperimentali)-Tipici valori delle energie di attivazione e dei coefficienti di diffusione | 5,6,7,8,10 |
12 | Stabilità e instabilità termodinamica di film sottili su substrati-Wetting, dewetting, angolo di contatto, equazione di Young-Processo di dewetting di un film sottile su un subtrato: formazione di nanoparticelle-Dewetting allo stato liquido e allo stato solido-Instabilità di Rayleigh-Dipendenza della dimensione delle nanoparticelle e spaziatura tra le nanoparticelle dallo spessore del film a da altri parametri di processo | 6, Materiale didattico fornito dal docente |
13 | Dewetting di film sottili su substrati indotto da processi termici, processi di irraggiamento laser, irraggiamento ionico, irraggiamento elettronico-Dewetting su substrati pre-patternati | 6, Materiale didattico fornito dal docente |
14 | Il meccanismo VLS-Ruolo dell'energia superficiale-Ruolo delle dimensioni-Ruolo dei diagrammi di fase e dei punti eutettici-Equazioni di crescita-Relazione lunghezza/diametro-Condizioni di temperatura nella crescita VLS-Dati sperimentali e focus sui nanowires semiconduttori (Si, Ge)-Accenno al meccanismo Solid-Liquid-Solid (SLS) di crescita di nanostrutture unidimensionali | 5,6,8 |
15 | Introduzione e concetti generali-Metalli nanoporosi-Oro nanoporoso: proprietà e applicazioni-Fabbricazione di oro nanoporoso tramite processo di dealloying (principi di base, parametri termodinamici e cinetici)-Controllo della composizione e della porosità-Nanostrutture in oro nanoporoso | 9 |
16 | Controllo della forma di nanostrutture metalliche in matrici isolanti tramite irraggiamenti ionici ad alta energia (elongazione e ripening inverso)-Instabilità termodinamica di nanorods e cambio di forma spontaneo-Embedding spontaneo di nanoparticelle metalliche in film polimerici-Deposizioni "shadowed" di film su substrati per produrre nanostrutture di forma complessa | Materiale didattico fornito dal docente,10 |
L'esame consiste in una presentazione/tesina sviluppata dallo studente su un argomento inerente il programma del corso e concordato con i docenti. Prendendo spunto dalla presentazione/tesina sviluppata dallo studente, seguiranno domande sulla restante parte del programma. La valutazione terrà conto del livello di approfondimento dell'argomento, della conoscenza degli argomenti di base, della proprietà di linguaggio, della chiarezza espositiva, della capacità di individuare applicazioni anche interdisciplinari.
La durata tipica della prova orale va da 30 a 45 minuti.
La verifica dell’apprendimento potrà essere effettuata anche per via telematica, qualora le condizioni lo dovessero richiedere.
APPELLI D'ESAME
Per la prova orale sono fissati 2 appelli nel I periodo di sessione di esami, 2 appelli nel II periodo di sessione di esami e 2 appelli nel III periodo di sessione di esami.
Sono inoltre fissati 2 appelli riservati a studenti fuori corso e ritardatari (comma 5 e 5 bis del regolamento didattico d’ateneo) durante la sospensione della attività didattica, generalmente nel periodo aprile/maggio oppure novembre/dicembre.
Non sono previsti ulteriori appelli oltre quelli approvati dalla segreteria didattica. Consultare il Calendario di Esami al sito: https://www.dfa.unict.it/corsi/LM-17/esami.
Alcuni argomenti tipicamente oggetto di domanda durante la prova orale sono i seguenti: